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Datasheet下载- 型号： RJH60F5DPK-00#T0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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RJH60F5DPK-00#T0产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60F5DPK-00#T0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60F5DPK-00#T0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60F5DPK-00#T0封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P。您可以下载RJH60F5DPK-00#T0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH60F5DPK-00#T0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的RJH60F5DPK-00#T0是一款IGBT（绝缘栅双极型晶体管）单管，属于功率半导体器件，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗与BJT的低导通压降优点，适用于中高功率应用。 典型应用场景包括：工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、电焊机设备以及太阳能逆变器等。其高耐压（650V）和连续电流承载能力（约12A），使其在处理大功率负载时表现出良好的效率和可靠性。此外，该IGBT具备较低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效，减少散热需求。 RJH60F5DPK-00#T0采用小型化封装（如HSOP-8或类似），适合空间受限但要求高功率密度的设计，常见于紧凑型电源模块和工业控制板中。配合适当的驱动电路和保护机制（如过流、过温保护），可确保系统长期稳定运行。 总之，该型号IGBT适用于对能效、可靠性和功率密度有较高要求的工业与能源领域应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 53ns/105ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJH60F5DPK-00#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 400V，30A，5 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V，40A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | RJH60F5DPK00T0 |
| 功率-最大值 | 260.4W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 140ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 输入类型 | 标准 |
