Datasheet下载- 型号： IXGT32N170
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGT32N170由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGT32N170价格参考。IXYSIXGT32N170封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXGT32N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGT32N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXGT32N170是一款超结（Ultra Junction Field Effect Transistor, UGBT）MOSFET，专为高电压、高效率应用设计。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） - IXGT32N170适用于各种开关电源拓扑结构，如升压、降压、反激式和正激式转换器。 - 其1700V的高击穿电压使其适合高压输入环境，例如工业级或电网相关的电源系统。 - 高效的开关性能降低了能量损耗，提高了整体电源转换效率。 2. 电机驱动 - 在高压电机驱动系统中，该器件可用于逆变器电路，控制电机的速度和方向。 - 特别适合需要高电压驱动的应用，例如工业电机、电动车辅助系统等。 3. 太阳能逆变器 - 用于将直流电转换为交流电的太阳能逆变器中，IXGT32N170能够承受高电压并提供高效的功率转换。 - 其低导通电阻和快速开关特性有助于减少热损耗，提高系统的整体效率。 4. 不间断电源（UPS） - 在UPS系统中，该MOSFET可用于电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时提供稳定的备用电源。 - 高可靠性设计使其能够在恶劣环境下长时间稳定运行。 5. 工业控制 - 适用于各种工业自动化设备中的高压开关应用，例如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。 - 提供快速响应和高精度控制能力。 6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV） - 在车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中，IXGT32N170能够处理高压输入并实现高效的能量转换。 - 其紧凑的设计和高性能特点使其成为汽车电子的理想选择。 7. 其他高压应用 - 包括焊接设备、X射线设备、激光器电源等领域，这些应用通常需要高电压和高效率的功率开关器件。 总结来说，IXGT32N170凭借其1700V的高耐压能力、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于高压、高频和高效能需求的电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 45ns/270ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1700V 75A 350W TO268IGBT 晶体管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 155nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGT32N170- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGT32N170 |
| SwitchingEnergy | 11mJ（关） |
| TestCondition | 1020V， 32A， 2.7 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.3V @ 15V，32A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 功率耗散 | 350 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 75A |
| 系列 | IXGT32N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 200 A |
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