Datasheet下载- 型号： IXXK160N65C4
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXK160N65C4由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXK160N65C4价格参考。IXYSIXXK160N65C4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXXK160N65C4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXXK160N65C4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXXK160N65C4是一款高功率MOSFET器件，主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件属于UGBT（类似IGBT性能的MOSFET）类别，具有低导通电阻、高耐压（650V）以及大电流承载能力（160A）的特点，适合用于高功率密度设计。 其主要应用场景包括： 1. 工业电源与变频器：用于电机驱动、逆变器与工业自动化设备中，提供高效能的功率转换与控制。 2. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中作为核心开关元件，实现交流与直流之间的高效转换，保障电力中断时的稳定供电。 3. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统中，用于将直流电转换为交流电并网使用，提升能源转换效率。 4. 电动汽车充电设备：适用于充电桩的功率模块，支持快速充电并提高系统整体效率。 5. 焊接设备与感应加热：用于高频开关应用，提升设备响应速度与能量利用率。 该器件由于具备良好的热稳定性和开关特性，适用于高频率开关操作环境，有助于减小系统体积并提升效率。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 52ns/197ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 800A |
| 描述 | IGBT 650V 290A 940W TO264IGBT 晶体管 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 422nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXK160N65C4GenX4™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXK160N65C4 |
| SwitchingEnergy | 3.5mJ （开）， 1.3mJ （关） |
| TestCondition | 400V，80A，1 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V， 160A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-264 （IXXK） |
| 功率-最大值 | 940W |
| 功率耗散 | 940 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 290 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 290A |
| 系列 | IXXK160N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 160 A |
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