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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB19NC60KDT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB19NC60KDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB19NC60KDT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGB19NC60KDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB19NC60KDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGB19NC60KDT4是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结MOSFET(UGBT)系列,具有高电压和低导通电阻的特点。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高电压耐受能力(650V)和低导通电阻(Rds(on) = 0.19Ω @ Vgs=10V)使其在高频开关应用中表现出色,能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:用于工业自动化、家用电器和电动车中的电机控制。STGB19NC60KDT4的快速开关特性和低损耗特性非常适合于逆变器和PWM(脉宽调制)控制器,能够实现高效且稳定的电机驱动。 3. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中,这款MOSFET可以用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。它的高效率和散热性能有助于提高整个系统的功率转换效率。 4. PFC(功率因数校正)电路:在需要高功率因数的应用中,如不间断电源(UPS)、大型家电等,该MOSFET可用于升压PFC电路,以优化输入电流波形并满足电磁兼容性要求。 5. 负载开关和保护电路:由于其坚固的结构和良好的热稳定性,STGB19NC60KDT4也可用作负载开关或过流保护元件,在各种电子设备中提供可靠的安全保障。 总之,STGB19NC60KDT4凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于需要高效能功率转换和控制的领域,尤其适合对能耗敏感的设计环境。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 30ns/105ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 75A |
描述 | IGBT 600V 35A 125W D2PAK |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 55nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGB19NC60KDT4 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerMESH™ |
SwitchingEnergy | 165µJ (开), 255µJ (关) |
TestCondition | 480V, 12A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.75V @ 15V,12A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-7007-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF210675?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | 31ns |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 35A |
输入类型 | 标准 |