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  • 型号: SGP13N60UFTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGP13N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP13N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP13N60UFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGP13N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGP13N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的SGP13N60UFTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结功率MOSFET(Ultra Junction Bipolar Transistor, UGBT)类别。它具有以下关键参数:耐压650V,导通电阻低至0.45Ω(典型值),并且采用TO-220全隔离封装。这款器件适用于多种高电压、中低功率的应用场景,以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - SGP13N60UFTU适合用于开关电源中的功率开关,例如反激式、正激式和LLC谐振转换器等拓扑结构。
   - 其高耐压特性使其能够承受输入电压波动,并在高压环境下稳定运行。

 2. 电机驱动
   - 在中小功率电机驱动应用中,该MOSFET可以用作主功率开关或同步整流元件。
   - 适用于家用电器(如风扇、水泵)以及工业自动化设备中的电机控制。

 3. 逆变器
   - 常见于光伏微型逆变器或不间断电源(UPS)系统中,作为功率转换的核心元件。
   - 提供高效的能量转换,降低功耗并提高系统效率。

 4. DC-DC转换器
   - 在汽车电子或工业设备中的DC-DC转换模块中,可作为高频开关元件使用。
   - 支持宽输入电压范围,适应复杂的工作环境。

 5. PFC电路(功率因数校正)
   - 在需要功率因数校正的场合,如照明镇流器或消费电子产品中,该MOSFET可用作升压开关。
   - 提高系统的功率因数,减少电网污染。

 6. 电池充电与保护
   - 用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制,确保电池安全运行。
   - 可应用于电动工具、电动车或储能系统中。

 特性优势
- 低导通电阻:减少传导损耗,提高整体效率。
- 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。
- 高可靠性:具备良好的热性能和抗雪崩能力,适用于严苛环境。

综上所述,SGP13N60UFTU广泛应用于电力电子领域,特别适合需要高电压、高效能和可靠性的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

20ns/70ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

52A

描述

IGBT 600V 13A 60W TO220

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

25nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SGP13N60UFTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

85µJ (开), 95µJ (关)

TestCondition

300V, 6.5A, 50 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,6.5A

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

60W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

13A

输入类型

标准

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