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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N60TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB6N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB6N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N60TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,用于高效能、高频开关操作。 2. 电机驱动:用于电动工具、工业自动化设备中的电机控制电路。 3. 照明系统:如LED驱动电源、高频镇流器等。 4. 消费电子产品:例如充电器、适配器、电视电源模块等。 5. 工业控制:用于逆变器、UPS(不间断电源)及各类功率开关电路中。 该器件具备600V耐压、6A电流能力,采用TO-220封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适合中高功率应用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统效率并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB6N60TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 3.1A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.2A (Tc) |