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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN9R5-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN9R5-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN9R5-30YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN9R5-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN9R5-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN9R5-30YLC,115是一款30V、逻辑电平驱动的N沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有极低导通电阻(典型Rds(on)仅9.5 mΩ @ Vgs=10V,12.5 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=40A,脉冲可达160A)及优异的热性能。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信设备中的同步降压(Buck)转换器高边或低边开关,提升效率与功率密度; 2. 负载开关与电源管理:适用于主板、工控板、网络设备中的热插拔保护、电源轨开关及电池供电系统中的高效通断控制; 3. 电机驱动:用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动模块,支持高频PWM调速; 4. LED驱动与照明电源:在智能照明恒流驱动电路中作开关元件,兼顾效率与散热可靠性; 5. 汽车电子辅助系统:满足AEC-Q101认证(该型号为车规级),可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、风扇控制等12V车载电源应用。 其LFPAK56封装具备低寄生电感、高爬电距离及优异PCB散热能力,适合高可靠性、紧凑型设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAKMOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN9R5-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN9R5-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 34 W |
| Pd-功率耗散 | 34 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 681pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.8 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-7593-2 |
| 功率-最大值 | 34W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tmb) |
| 配置 | Single Triple Source |