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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN9R5-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN9R5-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN9R5-30YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN9R5-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN9R5-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN9R5-30YLC 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。其应用场景主要集中在需要高效功率转换和低导通电阻的领域。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 PSMN9R5-30YLC 具有低导通电阻(典型值为 9.5mΩ),非常适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。它能够提供高效的功率转换,降低能量损耗。 2. 电机驱动 在小型电机控制中,该 MOSFET 可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。其低导通电阻特性有助于减少发热,提高系统效率。 3. 负载切换 由于其出色的电流处理能力(最大 drain 电流可达 48A)和低 Rds(on),PSMN9R5-30YLC 常用于负载切换电路,例如在汽车电子和工业设备中快速切换高电流负载。 4. 电池保护与管理 在电池管理系统(BMS)中,这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。 5. 逆变器和 UPS 系统 在不间断电源(UPS)和逆变器应用中,PSMN9R5-30YLC 的高频开关能力和低功耗特性使其成为理想选择,能够有效提升系统的可靠性和效率。 6. 消费电子设备 该器件适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理单元(PMU),支持高效能和紧凑设计的需求。 7. 汽车电子 在汽车行业中,这款 MOSFET 可应用于车载充电器、LED 驱动器和车身控制系统等,满足车规级应用对可靠性和性能的要求。 总之,PSMN9R5-30YLC 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能,在各种功率转换和控制场景中表现出色,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAKMOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
Id-连续漏极电流 | 44 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN9R5-30YLC,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN9R5-30YLC,115 |
Pd-PowerDissipation | 34 W |
Pd-功率耗散 | 34 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 681pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.8 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-7593-2 |
功率-最大值 | 34W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK33-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tmb) |
配置 | Single Triple Source |