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  • 型号: IRLR014NTRL
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR014NTRL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR014NTRL价格参考。International RectifierIRLR014NTRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR014NTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR014NTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLR014NTRL的MOSFET,属于N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。

2. 电机控制:用于小型电机驱动电路,如电动工具、风扇和泵的控制模块,提供快速开关响应和良好热稳定性。

3. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的电源开关和保护电路。

4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动和车载充电器等,满足汽车环境中对可靠性和效率的要求。

5. 工业自动化:作为工业控制设备中的开关元件,如PLC模块、传感器电源管理和继电器替代方案。

该器件采用Trench沟槽技术,具有优异的导通特性和热性能,封装形式为TO-252(DPAK),便于散热和PCB安装,适合中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRLR014NTRL

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

265pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

28W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

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