【未分类_STGP30H65F】封装/厂家_STGP30H65F中文资料_价格

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型号： STGP30H65F
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STGP30H65F由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP30H65F价格参考。STMicroelectronicsSTGP30H65F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STGP30H65F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGP30H65F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics（意法半导体）的型号为 STGP30H65F 的器件是一款 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于晶体管中IGBT、MOSFET类的单管产品。它结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通压降的优点，广泛应用于中高功率场合。

 主要参数特点：
- 集电极-发射极击穿电压（VCES）：650V
- 额定集电极电流（IC）：30A（通常在特定工作温度下）
- 采用高性能沟道型IGBT技术，导通损耗低
- 适用于高频开关应用

 应用场景：

1. 电机驱动与变频器  
   用于工业电机控制、变频器、伺服驱动器等设备中，作为功率开关实现高效的能量转换和电机调速。

2. 电源转换系统  
   广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、UPS不间断电源系统中，实现高效的电能转换。

3. 新能源领域  
   在太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电设备中，用于实现直流到交流的高效逆变转换。

4. 家电控制  
   用于高端家电产品（如电磁炉、变频空调）中的功率控制模块，提升能效和系统稳定性。

5. 工业自动化设备  
   在工业自动化系统中作为功率开关，控制加热元件、电感负载等设备的通断。

 总结：  
STGP30H65F是一款适用于中高功率应用的IGBT，具备良好的开关性能和可靠性，广泛应用于工业控制、新能源、家电、电源转换等多个领域，适合需要高效能、高稳定性的功率电子系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	50ns/160ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	120A
描述	IGBT 650V 60A 260W TO-220ABIGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 600V 30A
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	105nC
IGBT类型	沟道和场截止
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP30H65F-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STGP30H65F
SwitchingEnergy	350µJ （开）， 400µJ （关）
TestCondition	400V, 30A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.4V @ 15V，30A
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-220
其它名称	497-14558-5 STGP30H65F-ND
功率-最大值	260W
功率耗散	260 W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
商标	STMicroelectronics
在25C的连续集电极电流	60 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	250 nA
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极(Ic)（最大值）	60A
系列	STGP30H65F
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	650 V
集电极—射极饱和电压	2.4 V
集电极最大连续电流Ic	30 A