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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SGF23N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGF23N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGF23N60UFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGF23N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGF23N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGF23N60UFTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和高电流容量等特点。该器件常用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),用于提高转换效率和减小体积。 2. 电机驱动:应用于工业自动化控制中的电机驱动电路,实现对电机启停、调速的高效控制。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)及光伏逆变器中作为核心开关元件,完成直流到交流的能量转换。 4. 汽车电子:适用于车载充电系统、电动助力转向系统等场景,满足汽车行业对可靠性和效率的严格要求。 5. 照明系统:用于LED照明或高强度气体放电灯(HID)镇流器中,提供稳定高效的电源管理。 该MOSFET具备良好的热稳定性和快速开关特性,适合高频工作环境,是多种功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 17ns/60ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 92A |
描述 | IGBT 600V 23A 75W TO3PFIGBT 晶体管 600V/12A |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | - |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGF23N60UFTU- |
数据手册 | |
产品型号 | SGF23N60UFTU |
SwitchingEnergy | 115µJ (开), 135µJ (关) |
TestCondition | 300V, 12A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,12A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3PF |
功率-最大值 | 75W |
功率耗散 | 75 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 23 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SC-94 |
封装/箱体 | TO-3PF-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 23A |
系列 | SGF23N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
集电极最大连续电流Ic | 23 A |
零件号别名 | SGF23N60UFTU_NL |