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  • 型号: HGTG30N60A4
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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HGTG30N60A4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG30N60A4由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG30N60A4价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG30N60A4封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3。您可以下载HGTG30N60A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG30N60A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

25ns/150ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

240A

描述

IGBT 600V 75A 463W TO247IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

225nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4-

数据手册

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产品型号

HGTG30N60A4

PCN设计/规格

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SwitchingEnergy

280µJ (开), 240µJ (关)

TestCondition

390V, 30A, 3 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,30A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247AD

其它名称

HGTG30N60A4_NL
HGTG30N60A4_NL-ND

功率-最大值

463W

功率耗散

463 W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

75 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 250 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

75A

系列

HGTG30N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.8 V

集电极最大连续电流Ic

75 A

零件号别名

HGTG30N60A4_NL

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