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Datasheet下载- 型号： HGTG30N60A4
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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HGTG30N60A4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG30N60A4由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG30N60A4价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG30N60A4封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3。您可以下载HGTG30N60A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG30N60A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG30N60A4 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 UGBT 分类下的单 MOSFET 器件。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)：HGTG30N60A4 的高电压耐受能力（600V）和低导通电阻（Rds(on) 最大值为 350mΩ）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机控制：该器件可以用于驱动中小型电机，尤其是在需要高效开关和低损耗的应用中，例如家用电器、电动工具或工业自动化设备中的电机控制电路。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，HGTG30N60A4 可以用作功率开关，实现直流到交流的转换，同时保持较高的效率和可靠性。 4. 电池管理系统 (BMS)：由于其高击穿电压和良好的热性能，这款 MOSFET 适合用于电池保护电路，能够有效防止过流、短路等情况。 5. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的应用中，例如汽车电子系统或通信设备中，HGTG30N60A4 可以提供快速且可靠的切换功能。 6. PFC (功率因数校正)：在功率因数校正电路中，这款 MOSFET 可以帮助提高系统的功率因数，减少谐波失真，从而满足严格的电磁兼容性标准。 7. 通用功率开关：适用于各种需要高电压、低功耗开关的应用场合，如 LED 驱动器、继电器替代方案等。 总之，HGTG30N60A4 凭借其出色的电气特性和稳定性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及可再生能源领域等多种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 25ns/150ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 600V 75A 463W TO247IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 225nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HGTG30N60A4 |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 280µJ （开）， 240µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 30A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V，30A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 其它名称 | HGTG30N60A4_NL |
| 功率-最大值 | 463W |
| 功率耗散 | 463 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 75A |
| 系列 | HGTG30N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 75 A |
| 零件号别名 | HGTG30N60A4_NL |
