Datasheet下载- 型号： HGTP12N60C3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP12N60C3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP12N60C3价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP12N60C3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP12N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP12N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HGTP12N60C3是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结功率MOSFET（Ultrafast Gate Bipolar Transistor, UGBT）系列，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） HGTP12N60C3适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和适配器。它具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路中。其高电压耐受能力（600V）和低导通损耗使其适合高压电机控制应用。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，HGTP12N60C3可以作为主开关器件，提供高效的电力转换和稳定的输出性能。 4. 电动工具 由于其高电流处理能力和快速开关速度，这款MOSFET非常适合用于电动工具的功率控制模块，确保高效运行和长时间使用。 5. 工业自动化 HGTP12N60C3可应用于工业自动化设备中的负载切换、电磁阀驱动和继电器替代等场景，提供可靠且高效的解决方案。 6. 汽车电子 在车载电子系统中，例如启动马达控制、电池管理系统（BMS）和LED照明驱动，该器件能够承受高电压和高电流冲击，同时保持稳定的工作状态。 7. PFC（功率因数校正）电路 HGTP12N60C3适用于有源功率因数校正电路，帮助提高系统的功率因数并降低谐波失真。 总结来说，HGTP12N60C3凭借其高性能参数（如600V耐压、低Rds(on)、快速开关速度）和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，特别适合高压、高频和大功率的应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 48nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP12N60C3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 380µJ （开）， 900µJ （关） |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 24A |
| 输入类型 | 标准 |
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