ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > IXXK100N60C3H1
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXXK100N60C3H1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXK100N60C3H1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXK100N60C3H1价格参考。IXYSIXXK100N60C3H1封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)。您可以下载IXXK100N60C3H1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXXK100N60C3H1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXXK100N60C3H1是一款高性能的N沟道MOSFET器件,广泛应用于需要高效能功率转换的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,提供高效、低损耗的功率转换。 2. 电机驱动:用于工业电机控制、伺服驱动器和电动汽车电驱系统,具备高耐压(600V)和大电流(100A)能力,适合高功率电机控制。 3. 逆变器系统:在光伏逆变器、UPS不间断电源和储能系统中,作为核心开关元件实现直流到交流的高效转换。 4. 工业自动化设备:如变频器、工业电源模块等,适用于高频率开关操作,有助于减小系统体积并提升效率。 5. 电动汽车相关应用:包括车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS)中的功率控制模块。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适合高效率、高密度功率设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 30ns/90ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 340A |
| 描述 | IGBT 600V 170A 695W TO264IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 150nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXK100N60C3H1GenX3™, XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXK100N60C3H1 |
| SwitchingEnergy | 2mJ (开), 950µJ (关) |
| TestCondition | 360V,70A,2 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,70A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-264 (IXXK) |
| 功率-最大值 | 695W |
| 功率耗散 | 695 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 反向恢复时间(trr) | 140ns |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 170 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA 变异型 |
| 封装/箱体 | TO-264 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 170A |
| 系列 | IXXK100N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |