| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYP30N120C3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYP30N120C3价格参考。IXYSIXYP30N120C3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXYP30N120C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXYP30N120C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXYP30N120C3是一款高电压、大电流能力的功率MOSFET器件,主要应用于需要高效能功率转换和控制的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,适用于工业电源、通信电源及服务器电源系统。 2. 电机驱动系统:用于变频器、伺服驱动器和步进电机控制器中,提供高效、快速的开关性能,支持电机的精确控制。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中,作为核心开关元件实现电能形式的转换,具备高耐压和低导通损耗特性。 4. 电动汽车与充电桩:适用于车载充电器、电池管理系统(BMS)以及充电桩中的功率控制模块。 5. 家电与白色家电:如电磁炉、变频空调等,用于高频开关控制,提高能效并减小系统体积。 该器件具备高耐压(1200V)、大电流(30A)和低导通电阻特性,适合高功率密度和高效率设计需求。其封装形式(如TO-247)便于散热和安装,广泛应用于工业、通信、新能源和消费类电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 19ns/130ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 145A |
| 描述 | IGBT 1200V 75A 500W TO220IGBT 晶体管 GenX3 1200V XPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 69nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYP30N120C3GenX3™, XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYP30N120C3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| SwitchingEnergy | 2.6mJ (开), 1.1mJ (关) |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.3V @ 15V, 30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 500W |
| 功率耗散 | 500 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
| 系列 | IXYP30N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.7 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 75 A |