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Datasheet下载- 型号： RJH60F4DPK-00#T0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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RJH60F4DPK-00#T0产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60F4DPK-00#T0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60F4DPK-00#T0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60F4DPK-00#T0封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-3P。您可以下载RJH60F4DPK-00#T0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH60F4DPK-00#T0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RJH60F4DPK-00#T0 的产品由 Renesas Electronics America（瑞萨电子美国） 生产，属于 晶体管 - IGBT、MOSFET - 单 类别。该器件是一款功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源供应器：用于服务器、通信设备及工业电源系统中，提供高效的直流-直流转换或功率因数校正（PFC）功能。 2. 电机控制：适用于工业自动化设备中的电机驱动器，如变频器和伺服系统，实现对电机速度与转矩的精确控制。 3. 电动车相关系统：如车载充电器、DC/DC转换器等，支持新能源汽车中对高效率功率器件的需求。 4. 太阳能逆变器：在光伏系统中将直流电转换为交流电，具备高开关频率和低导通损耗特性，有助于提升整体系统效率。 5. 家电控制：用于高端家电（如变频空调、洗衣机）中的功率控制模块，提升能效和系统响应速度。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合高频率开关操作，适用于多种高功率、高效率要求的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 45ns/85ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJH60F4DPK-00#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 400V，30A，5 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.82V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | RJH60F4DPK00T0 |
| 功率-最大值 | 235.8W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 140ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
