Datasheet下载- 型号： IXYP50N65C3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYP50N65C3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYP50N65C3价格参考。IXYSIXYP50N65C3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXYP50N65C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXYP50N65C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXYP50N65C3是一款高压、大电流的MOSFET晶体管，属于单沟道N沟道功率MOSFET，具备650V的高耐压和50A的大电流承载能力。其低导通电阻和优异的开关性能，使其广泛应用于需要高效能功率转换的场景。 该器件典型应用于工业电源系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和DC-DC转换器中，能够有效提升电能转换效率并减少能量损耗。在电机驱动领域，IXYP50N65C3可用于交流/直流电机控制电路，适用于工业自动化设备和电动工具等场合。此外，它也常见于逆变器系统，例如太阳能光伏逆变器和电焊机中，用于实现直流到交流的高效转换。 由于其高可靠性和热稳定性，该MOSFET还适用于高要求的工业加热控制、电磁感应设备以及高功率照明电源（如HID灯镇流器）。在电动汽车充电设备或充电桩的辅助电源模块中也有应用潜力。 总之，IXYP50N65C3凭借其高电压、大电流和良好的热性能，适用于多种高功率、高效率需求的电力电子系统，尤其适合工作环境严苛、对稳定性要求高的工业与能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 22ns/80ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 250A |
| 描述 | IGBT 650V 130A 600W TO220IGBT 晶体管 650V/130A XPT C3-Class TO-220 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 80nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYP50N65C3GenX3™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYP50N65C3 |
| SwitchingEnergy | 1.3mJ （开）， 370µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 36A， 5 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V， 36A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 600W |
| 功率耗散 | 600 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 130 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 130A |
| 系列 | IXYP50N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.74 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 130 A |
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