Datasheet下载- 型号： FGA30N65SMD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA30N65SMD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA30N65SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGA30N65SMD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGA30N65SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA30N65SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA30N65SMD是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：FGA30N65SMD因其高电压耐受能力和低导通电阻特性，非常适合用于开关电源的设计中，能够高效地进行电压转换和稳压。 2. 电机控制：在电机驱动和控制应用中，这款MOSFET可以作为开关元件，用于调节电机的速度和方向，适用于家用电器、工业设备中的电机控制。 3. 逆变器：FGA30N65SMD可用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的电力输出。 4. 电池管理：在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可以用作开关或保护元件，确保电池充放电过程的安全性和效率。 5. 照明系统：用于LED照明驱动电路中，提供高效的电流控制和调光功能，支持节能环保的照明解决方案。 6. 工业自动化：在各种工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等，该MOSFET可用作信号放大或开关元件。 7. 汽车电子：虽然FGA30N65SMD并非专为汽车级设计，但在一些非关键车载应用中，它也可以用作开关或负载控制元件，例如电动车窗、座椅调节等。 总体而言，FGA30N65SMD凭借其650V的额定电压和较低的导通电阻，适合需要高效能功率转换和开关操作的各种应用场景，尤其是在要求高可靠性和稳定性的电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 14ns/102ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
| 描述 | IGBT 650V 60A 300W TO3P-3IGBT 晶体管 650V, 30A, Field Stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 87nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGA30N65SMD |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 716µJ （开）， 208µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 30A， 6 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 反向恢复时间(trr) | 35ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | FGA30N65SMD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.29 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 30 A |
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