【未分类_SGH40N60UFDM1TU】封装/厂家_SGH40N60UFDM1TU中文资料_价格

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型号： SGH40N60UFDM1TU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SGH40N60UFDM1TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH40N60UFDM1TU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH40N60UFDM1TU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SGH40N60UFDM1TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGH40N60UFDM1TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的SGH40N60UFDM1TU是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结MOSFET（UGBT分类）。其主要应用场景包括以下领域：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - SGH40N60UFDM1TU适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性可提高效率并降低能耗。
   - 特别适合高电压输入（如230V AC）的应用场景，例如适配器、充电器和工业电源。

 2. 电机驱动
   - 该器件可用于驱动中小型电机，例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机。其600V的耐压能力使其能够承受电机启动时的高电压浪涌。
   - 在无刷直流电机（BLDC）驱动中，该MOSFET可以用作功率级开关。

 3. 逆变器
   - 在光伏逆变器或UPS（不间断电源）系统中，SGH40N60UFDM1TU可用作高频开关元件，将直流电转换为交流电。
   - 其高效能表现有助于减少热损耗，提升整体系统效率。

 4. PFC电路（功率因数校正）
   - 该MOSFET适用于有源功率因数校正（APFC）电路，用于改善电力系统的功率因数，尤其是在高功率应用中。
   - 其快速恢复特性和低开关损耗使其非常适合此类高频应用。

 5. 电动汽车与充电桩
   - 在电动车辅助系统（如车载充电器、DC-DC转换器）中，该MOSFET可用于高效功率转换。
   - 同时，它也适用于充电桩的功率模块，提供可靠的高压切换功能。

 6. 照明系统
   - 高效驱动LED照明系统，特别是在大功率LED灯（如路灯或工业照明）中，作为开关元件使用。
   - 其低导通电阻可显著降低功耗，延长灯具寿命。

 7. 家电与消费电子
   - 应用于空调、洗衣机、冰箱等家电的功率控制部分，提供稳定且高效的开关性能。
   - 在消费电子产品中，如游戏机电源或音频放大器，也可用作功率开关。

总结来说，SGH40N60UFDM1TU凭借其600V耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于需要高效功率转换和高可靠性的工作场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	15ns/65ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	160A
描述	IGBT 600V 40A 160W TO3P
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	97nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SGH40N60UFDM1TU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	160µJ （开）， 200µJ （关）
TestCondition	300V, 20A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.6V @ 15V，20A
供应商器件封装	TO-3PN
功率-最大值	160W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	60ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	450
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	40A
输入类型	标准