Datasheet下载- 型号： IXBT42N170
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBT42N170由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBT42N170价格参考。IXYSIXBT42N170封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBT42N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBT42N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXBT42N170是一款高电压、大电流能力的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具体属于IGBT或功率MOSFET类别。该器件具有较高的耐压等级（1700V）和较大的额定电流（42A），适用于需要高效能功率转换的工业与电力电子系统。 应用场景包括： 1. 工业电源与变频器：用于电机驱动、逆变器电路，实现交流电机的速度控制与节能运行。 2. 可再生能源系统：如光伏逆变器、风力发电变流装置中，作为核心开关元件将直流电转换为交流电并网。 3. 电动汽车充电设备：在充电桩的功率模块中承担能量转换任务，支持快速充电。 4. UPS不间断电源：用于逆变电路中，确保市电中断时持续供电。 5. 感应加热与焊接设备：高频开关特性使其适合用于电磁炉、中频炉等加热设备。 6. 智能电网与储能系统：参与能量管理系统的电能变换环节，提高系统效率与稳定性。 该器件具备良好的热稳定性和开关性能，适合高温环境下长时间运行，广泛应用于对可靠性要求较高的高端电力电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 300A |
| 描述 | IGBT 1700V 80A 360W TO268IGBT 晶体管 BIMOSFET 1700V 75A |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 188nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBT42N170BIMOSFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXBT42N170 |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V，42A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | 1.32µs |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | IXBT42N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 75 A |
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