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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXH100N60B3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXH100N60B3价格参考。IXYSIXXH100N60B3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXXH100N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXXH100N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXXH100N60B3是一款高功率MOSFET晶体管,属于IGBT/MOSFET单管类别。该器件主要应用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。 典型应用场景包括: 1. 工业电源与变频器:用于工业电机驱动、变频器及自动化设备中的直流-交流逆变电路,实现高效的能量转换。 2. 电动汽车充电设备:作为核心开关元件,广泛应用于充电桩电源模块中,支持快速充电与高效能运行。 3. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风力发电变流器中,用于将直流电转换为交流电并入电网,具备高频开关能力和低损耗特性。 4. UPS不间断电源:在UPS系统中用于实现电能的稳定转换,确保电力中断时的无缝切换与输出稳定。 5. 焊接设备与感应加热:适用于高频率工作的焊接机和感应加热装置,提供良好的热稳定性和动态响应能力。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(600V)和大电流承载能力(100A),适合高频开关应用,且封装形式便于散热设计,广泛适用于各类高功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 30ns/120ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 480A |
| 描述 | IGBT 600V 220A 830W TO247ADIGBT 晶体管 XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 143nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXH100N60B3GenX3™, XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXH100N60B3 |
| SwitchingEnergy | 1.9mJ(开),2mJ(关) |
| TestCondition | 360V,70A,2 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,70A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 (IXXH) |
| 功率-最大值 | 830W |
| 功率耗散 | 830 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 210 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AD |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/ixys-650v-xpt-trench-igbts/3391 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 220A |
| 系列 | IXXH100N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |