【未分类_HGTG5N120BND】封装/厂家_HGTG5N120BND中文资料_价格

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型号： HGTG5N120BND
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG5N120BND由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG5N120BND价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG5N120BND封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG5N120BND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG5N120BND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG5N120BND 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET 晶体管，属于 UGBT（Ultrafast Gold Bonded Transistor）系列。该型号为 N 通道增强型功率 MOSFET，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - HGTG5N120BND 的高开关速度和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源的设计中，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
   - 其额定电压为 1200V，能够承受较高的输入电压，适合工业级或高压应用。

 2. 电机驱动
   - 该器件可用于驱动直流无刷电机 (BLDC)、步进电机或其他类型的电机。
   - 在电机控制电路中，MOSFET 作为开关元件，通过 PWM（脉宽调制）信号调节电机的速度和方向。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统中，HGTG5N120BND 可用作功率转换的核心元件。
   - 它能够高效地将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的电力输出。

 4. 负载开关
   - 该 MOSFET 可用于大电流负载的开关控制，例如工业设备、电动工具或汽车电子中的负载管理。
   - 其低导通电阻 (Rds(on)) 减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。

 5. 电动车与混合动力车
   - 在电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中，该器件可用于电池管理系统 (BMS)、DC-DC 转换器以及电机控制器。
   - 高耐压能力使其能够适应车辆电气系统中的复杂环境。

 6. 工业自动化
   - HGTG5N120BND 可用于工业自动化设备中的继电器替代方案，提供更快的响应时间和更高的可靠性。
   - 例如，在 PLC（可编程逻辑控制器）或机器人控制系统中作为功率开关。

 7. 照明系统
   - 在 LED 照明驱动电路中，该 MOSFET 可用于恒流控制或调光功能。
   - 其高效性能有助于降低发热并延长灯具寿命。

 总结
HGTG5N120BND 的高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性，使其成为高压、高频和高效功率转换应用的理想选择。它广泛应用于工业、汽车、消费电子和可再生能源领域，满足多样化的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	22ns/160ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	40A
描述	IGBT 1200V 21A 167W TO247IGBT 晶体管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	53nC
IGBT类型	NPT
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG5N120BND-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	HGTG5N120BND
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
SwitchingEnergy	450µJ （开）， 390µJ （关）
TestCondition	960V, 5A, 25 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.7V @ 15V，5A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-247
其它名称	HGTG5N120BND-ND HGTG5N120BNDFS
功率-最大值	167W
功率耗散	167 W
包装	管件
单位重量	6.390 g
反向恢复时间(trr)	65ns
商标	Fairchild Semiconductor
在25C的连续集电极电流	21 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	150
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	+/- 250 nA
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）	21A
系列	HGTG5N120
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.45 V
集电极最大连续电流Ic	21 A
零件号别名	HGTG5N120BND_NL