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产品简介:
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SGL60N90DG3YDTU是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款功率MOSFET器件,属于晶体管中的IGBT/MOSFET类别。该器件主要用于高电压和高电流的应用场景,具备良好的导通性能和快速开关特性。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如AC-DC、DC-DC转换器,用于高效能电源供应器、服务器电源及工业电源设备中。 2. 电机驱动:适用于变频器、伺服电机、步进电机等控制电路,提供高效、可靠的功率开关功能。 3. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备,该器件能有效支持高效率能量转换。 4. 家电控制:用于空调、洗衣机、电磁炉等大功率家电中的功率控制模块。 5. 工业自动化设备:在工业控制和自动化系统中作为功率开关,实现对负载的高效控制。 该器件采用TO-252封装,具备较高的耐用性和散热性能,适合在中高功率应用场景中使用。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 900V 60A 180W TO264 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 260nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SGL60N90DG3YDTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,60A |
供应商器件封装 | TO-264 |
功率-最大值 | 180W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 1.5µs |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 150 |
电压-集射极击穿(最大值) | 900V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
输入类型 | 标准 |