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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGP10N60A由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGP10N60A价格参考。IXYSIXGP10N60A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGP10N60A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGP10N60A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGP10N60A是一款高压、高速的N沟道功率MOSFET,属于IGBT和MOSFET单管类别。该器件具有600V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力,采用先进的平面栅极技术,具备低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。 IXGP10N60A广泛应用于需要高效能功率转换的场合。典型应用场景包括:开关电源(SMPS),尤其适用于工业电源、服务器电源和电信设备中的高压DC-AC或DC-DC转换;逆变器系统,如太阳能逆变器和UPS不间断电源,用于实现直流到交流的高效转换;电机驱动领域,如工业电机控制和家用电器中的变频控制;此外,还常用于电子镇流器、感应加热设备和高电压脉冲功率系统。 该器件优异的抗雪崩能力和高温工作性能,使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定可靠,适合对系统效率和可靠性要求较高的工业与能源应用。其封装形式(如TO-247)便于散热设计,适用于中高功率密度设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 20A 100W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXGP10N60A |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3V @ 15V,10A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 输入类型 | 标准 |