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  • 型号: BUT11ATU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUT11ATU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUT11ATU价格参考。Fairchild SemiconductorBUT11ATU封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 450V 5A 100W 通孔 TO-220-3。您可以下载BUT11ATU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUT11ATU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BUT11ATU-

数据手册

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产品型号

BUT11ATU

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 500mA,2.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

-

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

100W

包装

管件

单位重量

1.800 g

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

100000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

450V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

1mA

系列

BUT11A

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

450 V

集电极—基极电压VCBO

1 kV

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极连续电流

5 A

零件号别名

BUT11ATU_NL

频率-跃迁

-

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