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Datasheet下载- 型号： FGH50N3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FGH50N3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH50N3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH50N3价格参考。Fairchild SemiconductorFGH50N3封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT PT 300V 75A 463W Through Hole TO-247。您可以下载FGH50N3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH50N3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGH50N3 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于高功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于需要高效能和低导通损耗的场合。 2. 电机控制：在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中作为功率开关使用，支持快速开关操作，有助于提高系统效率。 3. 照明系统：应用于LED路灯、工业照明等大功率照明设备的恒流驱动电路中。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，作为核心开关元件实现电能形式的转换。 该器件具有低导通电阻、高耐压（典型漏源击穿电压为300V以上）、可承受较大电流（连续漏极电流可达50A）等特点，适合高频开关环境，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于工业自动化、新能源及消费类电子领域中的功率控制模块。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 20ns/135ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 300V 75A 463W TO247IGBT 晶体管 300V PT N-Channel |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 180nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH50N3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH50N3 |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 130µJ （开）， 92µJ （关） |
| TestCondition | 180V, 30A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.4V @ 15V，30A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | FGH50N3_NL |
| 功率-最大值 | 463W |
| 功率耗散 | 463 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 75A |
| 系列 | FGH50N3 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.3 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 75 A |
| 零件号别名 | FGH50N3_NL |
