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  • 型号: STGB3NC120HDT4
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGB3NC120HDT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB3NC120HDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB3NC120HDT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGB3NC120HDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB3NC120HDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STGB3NC120HDT4是一款集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管的功率器件,属于晶体管中的IGBT类别,常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有高效率、高可靠性和低导通压降的特点,适用于需要高效能功率转换的场合。

典型应用场景包括:

1. 工业电机驱动:如变频器和伺服驱动器,用于控制交流电机的速度和转矩。
2. 家电控制:例如变频空调、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。
3. 新能源领域:如光伏逆变器和储能系统,用于将直流电转换为交流电并网使用。
4. 电动汽车充电设备:作为功率开关用于充电桩或车载充电器中。
5. UPS不间断电源:用于实现高效的能量转换与稳定输出。

该器件采用先进的沟槽栅场截止(Trench FS)技术,具备良好的热性能和抗短路能力,适合在高温环境下工作,广泛应用于中高功率电力电子装置中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/118ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

20A

描述

IGBT 1200V 14A 75W D2PAKIGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

24nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB3NC120HDT4PowerMESH™

数据手册

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产品型号

STGB3NC120HDT4

SwitchingEnergy

236µJ (开), 290µJ (关)

TestCondition

800V, 3A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.8V @ 15V,3A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

497-11215-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC953/PF251466?referrer=70071840

功率-最大值

75W

功率耗散

75 W

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

51ns

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

14 A

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK

工厂包装数量

1000

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

14A

系列

STGB3NC120HD

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.3 V

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