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产品简介:
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NGB8206ANT4G 是由 Littelfuse Inc. 生产的一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 UGBT(超微型功率晶体管)系列。该型号为 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) 该 MOSFET 常用于开关电源中的高频开关元件,例如 DC-DC 转换器、反激式转换器或正激式转换器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性能够有效降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中,NGB8206ANT4G 可作为功率开关使用,控制电机的启动、停止和速度调节。其低 Rds(on) 特性有助于减少发热并延长设备寿命。 3. 负载开关 该器件适合用作负载开关,尤其是在需要高效能和低损耗的应用中,例如便携式电子设备、电池管理系统 (BMS) 或汽车电子系统。 4. 电池保护电路 在锂电池或可充电电池组中,MOSFET 可用于过流保护、短路保护和过放电保护电路,确保电池安全运行。 5. 逆变器与太阳能微逆变器 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,NGB8206ANT4G 的高性能表现使其成为理想的功率开关选择,支持高效的能量转换。 6. LED 驱动器 在 LED 照明应用中,这款 MOSFET 可用于恒流驱动电路,提供稳定的电流输出,确保 LED 的亮度一致性和使用寿命。 7. 消费类电子产品 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电管理模块,NGB8206ANT4G 的紧凑封装和高效性能非常适合这些场景。 总结来说,NGB8206ANT4G 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装设计,广泛应用于各种高效能、低功耗的电力电子领域,尤其适合对体积和性能有严格要求的便携式设备和工业控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8206ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V,9A,1 千欧,5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 390V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |