ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > HGTG27N120BN
Datasheet下载- 型号： HGTG27N120BN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG27N120BN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG27N120BN价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG27N120BN封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 1200V 72A 500W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG27N120BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG27N120BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG27N120BN是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT），属于单管结构，主要用于高电压、大电流的开关应用。其耐压高达1200V，额定电流为27A，具有低导通损耗和优良的开关性能。 该器件广泛应用于需要高效能功率转换的场景，如工业电机驱动、感应加热设备、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）以及太阳能逆变器等。在工业领域，常用于变频器中控制交流电机的速度与转矩；在新能源领域，适用于光伏逆变系统中的直流到交流转换环节，提升能量转换效率；此外，在电焊机、电磁炉等高功率家电中也有应用。 HGTG27N120BN具备良好的热稳定性和可靠性，适合在高温、高负载环境下长期运行。其优化的内部结构有助于减少电磁干扰，提高系统整体稳定性。由于采用TO-247封装，散热性能良好，便于安装于散热器上，适用于紧凑型高功率密度设计。 总之，HGTG27N120BN是一款适用于中高功率电力电子系统的高性能IGBT，特别适合要求高效率、高可靠性的工业与能源应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 24ns/195ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 216A |
| 描述 | IGBT 1200V 72A 500W TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 270nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTG27N120BN |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 2.2mJ （开）, 2.3mJ （关） |
| TestCondition | 960V, 27A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，27A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 72A |
| 输入类型 | 标准 |
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