Datasheet下载- 型号： IXGH30N60B2D1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH30N60B2D1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH30N60B2D1价格参考。IXYSIXGH30N60B2D1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXGH30N60B2D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGH30N60B2D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXGH30N60B2D1是一款晶体管，具体为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道增强型器件。其主要应用场景包括： 1. 工业电源：该型号适用于开关电源、不间断电源（UPS）和逆变器等工业电源设备中。由于其600V的耐压能力，能够满足高压环境下的开关需求。 2. 电机驱动：IXGH30N60B2D1可用于各种电机控制应用，如伺服电机、步进电机和直流无刷电机驱动电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 太阳能逆变器：在可再生能源领域，该器件可以用于光伏系统的DC-AC转换部分，实现高效的能量传输与转换。 4. 电动车及混合动力车：此MOSFET适合应用于电动车或混合动力汽车中的电池管理系统、充电系统以及牵引逆变器中，提供可靠且高效的电力控制。 5. 家电产品：在家用电器如空调、洗衣机、冰箱等需要高效能电子控制的产品中也有广泛用途，帮助优化能耗表现。 6. 通信设备：对于基站、路由器等通信设施内的电源管理模块来说，这款MOSFET能够保证稳定运行的同时降低热产生。 总之，IXGH30N60B2D1凭借其高性能参数，在任何需要快速切换、高效率以及良好散热性能的场合都具有优异的表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 13ns/110ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
| 描述 | IGBT 600V 70A 190W TO247AD |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 66nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXGH30N60B2D1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFAST™ |
| SwitchingEnergy | 320µJ （关） |
| TestCondition | 400V，24A，5 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V，24A |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXGH） |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 25ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70A |
| 输入类型 | 标准 |
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