Datasheet下载- 型号： HGTG20N60B3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG20N60B3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG20N60B3价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG20N60B3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTG20N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG20N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG20N60B3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET，属于晶体管 - UGBT（超结沟道场效应晶体管），适用于多种高电压、高效率的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - HGTG20N60B3 的高耐压特性（600V）和低导通电阻（Rds(on) = 150mΩ 典型值）使其非常适合用于开关电源设计，例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。 - 在这些应用中，MOSFET 作为主开关器件，能够高效地控制功率传输，减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于工业自动化设备中的电机驱动电路，例如伺服电机、步进电机或无刷直流电机 (BLDC)。 - 它的快速开关速度和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的效率和性能。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，HGTG20N60B3 可以用作功率开关，将直流电转换为交流电。 - 其高耐压和低导通电阻特性有助于提高逆变器的效率，并支持更高的输出功率。 4. 不间断电源 (UPS) - 在 UPS 系统中，这款 MOSFET 可用于电池充电电路、逆变电路以及输出滤波电路。 - 它的高可靠性确保了 UPS 在停电时能够稳定运行。 5. PFC（功率因数校正）电路 - HGTG20N60B3 可用于有源功率因数校正 (APFC) 电路，帮助提高电源的功率因数，降低谐波失真。 - 其出色的动态性能和热稳定性使其成为 PFC 应用的理想选择。 6. 电动工具 - 在电动工具（如电钻、电锯等）中，该 MOSFET 可用于电机驱动和电源管理部分。 - 它的紧凑封装和高效性能有助于减小设备体积并延长电池寿命。 7. 汽车电子 - 尽管 HGTG20N60B3 不是专门的车规级器件，但在一些非关键车载应用中（如车灯控制、风扇控制等），它也可以发挥作用。 总结 HGTG20N60B3 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度，在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。它广泛应用于消费电子、工业设备、可再生能源和汽车电子等领域，是一款高性能的功率 MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 165W TO247IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 80nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HGTG20N60B3 |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 475µJ （开）， 1.05mJ （关） |
| TestCondition | 480V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，20A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 165W |
| 功率耗散 | 165 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | HGTG20N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
| 零件号别名 | HGTG20N60B3_NL |
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