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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGP20NC60V由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP20NC60V价格参考。STMicroelectronicsSTGP20NC60V封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGP20NC60V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGP20NC60V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGP20NC60V是一款功率MOSFET器件,主要应用于需要高效、高频率开关性能的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻和优良的热性能,适用于多种高要求的功率转换场景。 主要应用场景包括: 1. 电源供应器:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的DC-DC转换器和AC-DC电源模块,以提升能效和功率密度。 2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制,常见于家电、工业自动化及电动工具中。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电源,满足高效率和小体积的设计需求。 4. 消费电子产品:如充电器、适配器等便携设备电源中,实现高效能与小型化。 5. 新能源领域:在太阳能逆变器、储能系统等设备中用于功率转换,提高系统整体效率。 6. 汽车电子:用于车载充电系统、DC-DC变换器及电池管理系统中,适应较为严苛的工作环境。 该MOSFET适合高频开关应用,有助于减小外围元件尺寸,提升系统效率,是工业与消费类电源设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 31ns/100ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 200W TO220IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 100nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP20NC60VPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGP20NC60V |
| SwitchingEnergy | 220µJ (开), 330µJ (关) |
| TestCondition | 390V, 20A, 3.3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,20A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-4355-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF70583?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
| 系列 | STGP20NC60V |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |