Datasheet下载- 型号： IXFK26N120P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK26N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK26N120P价格参考。IXYSIXFK26N120P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK26N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK26N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK26N120P是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品，其应用场景广泛适用于高电压、高频率和高效能需求的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： IXFK26N120P具有1200V的耐压能力，适合用于开关电源中的高压开关元件，例如AC-DC转换器、DC-DC变换器等。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少发热。 2. 电机驱动与控制： 该MOSFET可用于工业电机驱动器中，支持高效切换和精确控制。其快速开关速度和高击穿电压使其在变频器和伺服驱动器中表现出色。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，IXFK26N120P可以作为关键的功率开关器件，实现直流到交流的高效转换。 4. 不间断电源（UPS）： 该器件能够承受瞬态电压波动，并提供稳定的开关性能，因此非常适合用于UPS系统中的功率管理模块。 5. 电动车（EV）与混合动力车（HEV）： 在电动车或混合动力车的电池管理系统（BMS）、充电电路和牵引逆变器中，IXFK26N120P可发挥重要作用，确保高效能量传输和可靠运行。 6. 焊接设备： 高压MOSFET如IXFK26N120P常用于焊接机的功率输出级，以提供稳定且高效的电流输出。 7. 脉冲宽度调制（PWM）控制器： 其高频开关能力和低损耗特性使其成为PWM控制器的理想选择，广泛应用于各种需要精确调节功率的场景。 8. 工业自动化与机器人： 在工业自动化领域，该MOSFET可用于驱动执行器、步进电机和伺服电机，满足复杂运动控制的需求。 总之，IXFK26N120P凭借其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，在需要处理高电压和大电流的应用中表现突出，是许多电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264MOSFET 26 Amps 1200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK26N120PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK26N120P |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 255 nC |
| Qg-栅极电荷 | 255 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 460 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 76 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | IXFK26N120 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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