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  • 型号: ZVP3306FTA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP3306FTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP3306FTA价格参考。Diodes Inc.ZVP3306FTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVP3306FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVP3306FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZVP3306FTA是Diodes Incorporated公司生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关电路。该器件具有导通电阻低、封装小巧、驱动能力强等特点,适用于多种电子设备与系统中。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制,适合便携式电子产品如笔记本电脑、平板和智能手持设备。

2. 电机控制:在小型直流电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件使用,实现对电机启停或方向的控制。

3. LED照明:用于LED驱动电路中,作为调光或开关控制器件,特别是在需要高效能和小尺寸设计的应用中。

4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块及继电器替代电路中用作电子开关。

5. 通信设备:应用于网络设备、基站模块等通信系统中的电源切换和信号路径控制。

ZVP3306FTA采用SOT-223封装,便于散热且节省空间,适合表面贴装工艺,广泛用于对可靠性与效率有要求的消费类与工业类产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3MOSFET P-Chnl 60V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 90 mA

Id-连续漏极电流

- 90 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP3306FTA-

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产品型号

ZVP3306FTA

Pd-PowerDissipation

330 mW

Pd-功率耗散

330 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

14 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 18V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 欧姆 @ 200mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

ZVP3306FTR

其它图纸

典型关闭延迟时间

8 ns

功率-最大值

330mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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