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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP3306FTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP3306FTA价格参考。Diodes Inc.ZVP3306FTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVP3306FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVP3306FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP3306FTA是Diodes Incorporated公司生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关电路。该器件具有导通电阻低、封装小巧、驱动能力强等特点,适用于多种电子设备与系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制,适合便携式电子产品如笔记本电脑、平板和智能手持设备。 2. 电机控制:在小型直流电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件使用,实现对电机启停或方向的控制。 3. LED照明:用于LED驱动电路中,作为调光或开关控制器件,特别是在需要高效能和小尺寸设计的应用中。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块及继电器替代电路中用作电子开关。 5. 通信设备:应用于网络设备、基站模块等通信系统中的电源切换和信号路径控制。 ZVP3306FTA采用SOT-223封装,便于散热且节省空间,适合表面贴装工艺,广泛用于对可靠性与效率有要求的消费类与工业类产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3MOSFET P-Chnl 60V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 90 mA |
Id-连续漏极电流 | - 90 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP3306FTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZVP3306FTA |
Pd-PowerDissipation | 330 mW |
Pd-功率耗散 | 330 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 18V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 欧姆 @ 200mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | ZVP3306FTR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 8 ns |
功率-最大值 | 330mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |