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AUIRLS3036产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRLS3036由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRLS3036价格参考。International RectifierAUIRLS3036封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK。您可以下载AUIRLS3036参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRLS3036 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的AUIRLS3036是一款汽车级MOSFET器件,属于功率晶体管中的FET(场效应晶体管)类别,常用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。该器件主要应用于汽车电子系统,例如: 1. 车载电源系统:如DC-DC转换器、电池管理系统(BMS),用于提升能量转换效率并确保稳定供电; 2. 电机驱动:用于汽车中的电动助力转向(EPS)、水泵、风扇等电机控制电路中,提供高效、快速的开关性能; 3. 负载开关控制:用于控制高功率负载的通断,如车灯、加热元件等; 4. 逆变器与功率模块:在混合动力或电动汽车的逆变器中,用于将直流电转换为交流电驱动电机; 5. 工业与汽车电源管理:如电源管理系统中的同步整流、负载切换等应用。 AUIRLS3036具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(30V)、高电流能力(可达60A)和优良的热性能,适合在高温和高负载环境下稳定工作,符合AEC-Q100汽车电子标准,具备高可靠性与耐用性,适用于对安全性和稳定性要求较高的汽车应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 270A D2PAKMOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 270 A |
| Id-连续漏极电流 | 270 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRLS3036HEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRLS3036 |
| Pd-PowerDissipation | 380 W |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| Qg-GateCharge | 91 nC |
| Qg-栅极电荷 | 91 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2.5 V |
| 上升时间 | 220 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11210pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 165A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 380W |
| 功率耗散 | 380 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 91 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 340 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 270 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |