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SI4102DY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4102DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4102DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4102DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.8A(Tc) 2.4W(Ta),4.8W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4102DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4102DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4102DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下领域: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于开关电源中的降压或升压电路,提供高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电流流向特定负载。 - 电池保护:在电池管理系统 (BMS) 中,用于防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率电机驱动,例如风扇、泵或微型机器人中的电机。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于充电电路、背光驱动和音频放大器等模块。 - 笔记本电脑适配器:在适配器中作为开关元件,提高效率并减少发热。 - USB 充电端口保护:防止过流或短路,确保设备安全。 4. 工业应用 - 信号调理电路:用于工业自动化设备中的信号放大或隔离。 - 继电器替代:在需要快速开关的场合,用 MOSFET 替代机械继电器以提高可靠性。 5. 汽车电子 - LED 驱动:用于车内 LED 照明系统的驱动电路。 - 车载信息娱乐系统:为音频功放或其他子系统提供高效电源管理。 - 电池管理系统 (BMS):用于电动汽车或混合动力汽车的电池保护和能量管理。 特点与优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高系统效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 小封装尺寸 (DFN8065-2):节省 PCB 空间,适合紧凑设计。 - 高静电防护能力 (ESD):增强器件的可靠性和耐用性。 总之,SI4102DY-T1-GE3 适用于需要高效、紧凑和可靠解决方案的各种电子系统,特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOICMOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69252 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4102DY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4102DY-T1-GE3SI4102DY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
Pd-功率耗散 | 2.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 158 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 158 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 158 毫欧 @ 2.7A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4102DY-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 4.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.8A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4102DY-GE3 |