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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6341-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6341-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH6341-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH6341-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH6341-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6341-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关和逻辑电路应用。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电源管理、负载开关或信号切换。 2. 电源管理系统:在DC-DC转换器、电池充电管理电路中作为高效开关元件使用。 3. 电机控制与驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,尤其在低电压供电系统中表现良好。 4. LED照明系统:作为LED灯串的开关控制,支持调光功能,广泛应用于汽车照明、背光显示等领域。 5. 工业自动化设备:用于PLC模块、传感器接口电路、继电器替代方案中,实现快速、可靠的电子开关功能。 6. 消费类电子设备:如智能家电、遥控器、音频设备中的信号处理和功率控制部分。 该器件采用小尺寸封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和较低导通电阻,适合低功耗设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 5 A |
Id-连续漏极电流 | - 5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6341-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | MCH6341-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MCPH |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | MCPH-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
系列 | MCH6341 |