Datasheet下载- 型号： IRF7779L2TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7779L2TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7779L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7779L2TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7779L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7779L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7779L2TR1PBF是一款晶体管，具体为FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且属于单通道类型。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - IRF7779L2TR1PBF适用于各种电源管理系统，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻特性可以减少能量损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中，这款MOSFET可以用作开关元件，实现高效的速度和方向控制。它适合用于家用电器（如风扇、泵）以及工业自动化设备中的电机驱动。 3. 电池管理 - 用于锂电池保护电路或充电管理电路中，作为开关或负载切换元件，确保电池的安全充放电过程。 4. 消费电子 - 应用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理单元（PMU），以提供高效的电源分配和保护功能。 5. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中，用作信号处理和功率放大器的开关元件，支持高效的数据传输。 6. 汽车电子 - 在车载电子系统中，例如车身控制模块（BCM）、LED照明驱动和电动助力转向（EPS）系统中，这款MOSFET能够提供可靠的性能和稳定性。 7. 工业控制 - 用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和逆变器等工业应用中，作为开关或功率转换的核心元件。 总结 IRF7779L2TR1PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的领域。无论是消费电子、汽车电子还是工业自动化，这款MOSFET都能满足多种复杂应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFETMOSFET 150V 67A 11mOhm 97nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 67 A |
| Id-连续漏极电流 | 67 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7779L2TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7779L2TR1PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 97 nC |
| Qg-栅极电荷 | 97 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
| 其它名称 | IRF7779L2TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等距 L8 |
| 封装/箱体 | DirectFET-15 L8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 83 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 67 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 375A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7779l2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7779l2.spi |
| 配置 | Single |
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