Datasheet下载- 型号： STP3N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP3N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP3N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTP3N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP3N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP3N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STP3N80K5是一款高压MOSFET（单N沟道增强型），具有800V耐压、3A连续漏极电流和低导通电阻的特点，适用于高效率、高电压的功率转换场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源适配器、工业电源模块等，因其高耐压特性，适合反激式（Flyback）、正激式等拓扑结构，实现高效能量转换。 2. 照明驱动：应用于LED路灯、工业照明等高压LED驱动电源中，支持宽输入电压范围下的稳定工作，提升系统能效与可靠性。 3. 电机控制：用于小型家电或工业设备中的交流电机驱动电路，如风扇、水泵等，配合控制IC实现节能运行。 4. 待机电源与辅助电源：在电视、空调等家用电器的待机电源中作为主开关管，具备低待机功耗和高启动性能。 5. 高压直流输电与电源系统：适用于需要高电压隔离和稳定输出的工业控制系统、充电桩辅助电源等场合。 该器件采用TO-220FP或类似封装，散热性能良好，同时具备高雪崩耐量和抗干扰能力，增强了系统在恶劣环境下的稳定性。结合其可靠的工艺（如ST的SuperMESH5技术），STP3N80K5在高电压、中低功率应用中表现出优异的性价比和长期稳定性，是工业与消费类电源设计中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP3N80K5SuperMESH5™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP3N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 欧姆 @ 1A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14281-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 20.5 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
| 系列 | STP3N80K5 |
| 配置 | Single |
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