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Datasheet下载- 型号： STD5NM60-1
- 制造商： STMicroelectronics
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STD5NM60-1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD5NM60-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD5NM60-1价格参考。STMicroelectronicsSTD5NM60-1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 96W（Tc） I-PAK。您可以下载STD5NM60-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD5NM60-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD5NM60-1是一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和功率转换应用。该器件具有600V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、风扇、泵类设备等。 3. 照明系统：用于LED驱动电源或镇流器电路中，提供高效稳定的电流控制。 4. 家电控制：如电磁炉、洗衣机、空调等家用电器中的功率开关元件。 5. 工业自动化：用于PLC、继电器驱动、传感器电源管理等工业控制系统中。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于提升系统效率并减小散热设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STD5NM60-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12786-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67246?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
