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  • 型号: HUF75545S3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HUF75545S3ST产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75545S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75545S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75545S3ST封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 75A(Tc) 270W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载HUF75545S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75545S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75545S3ST 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:  
   HUF75545S3ST 适用于各种开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和快速开关速度使其非常适合这类应用。

3. 负载切换:  
   在汽车电子和工业控制领域,HUF75545S3ST 可用于负载切换电路,例如车灯控制、风扇控制或其他需要频繁开启/关闭的负载。它能够承受较高的脉冲电流,确保可靠运行。

4. 电池保护:  
   该 MOSFET 常用于锂电池或镍氢电池组的过流保护和短路保护电路中。通过精确控制栅极电压,可以实现对电池充放电过程的安全管理。

5. 信号切换与隔离:  
   在通信设备和数据传输系统中,HUF75545S3ST 可用作信号切换或隔离元件,以确保信号完整性和系统稳定性。

6. 逆变器和太阳能微逆变器:  
   它也适用于小型逆变器或太阳能微逆变器中的功率转换部分,提供高效的能量转换功能。

综上所述,HUF75545S3ST 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业自动化以及可再生能源等领域,满足多种功率管理和控制需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 75A D2PAKMOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75545S3STUltraFET™

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产品型号

HUF75545S3ST

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

270 W

Pd-功率耗散

270 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

125 ns

下降时间

90 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

235nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

HUF75545S3ST-ND
HUF75545S3STTR

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

270W

包装

带卷 (TR)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

HUF75545

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF75545S3ST_NL

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