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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDH055N15A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDH055N15A价格参考¥30.30-¥49.44。Fairchild SemiconductorFDH055N15A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDH055N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDH055N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDH055N15A 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器与DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的高效能电源管理系统。 2. 负载开关与电源管理模块:在电池供电设备中作为高效的负载开关使用,控制电源通断,降低功耗。 3. 马达驱动电路:用于小型电机或风扇的驱动控制,如在工业自动化设备和家电产品中。 4. 同步整流电路:在开关电源(SMPS)中替代传统二极管进行同步整流,提高转换效率。 5. LED照明驱动:用于高亮度LED驱动电路中,实现恒流控制与调光功能。 该器件具有低导通电阻、高耐压(150V)、良好热性能和封装小巧等优点,适合高频开关操作,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V TO-247-3MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 167 A |
| Id-连续漏极电流 | 167 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDH055N15APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDH055N15A |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 429 W |
| Pd-功率耗散 | 429 W |
| Qg-GateCharge | 92 nC |
| Qg-栅极电荷 | 92 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 67 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9445pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.9 毫欧 @ 120A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 429W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 219 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 158A (Tc) |
| 系列 | FDH055N15A |