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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3483DV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3483DV-T1-E3价格参考。VishaySI3483DV-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3483DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3483DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3483DV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,适用于以下领域: 1. 电源管理:广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统中,提升能效并减小电路体积。 2. 负载开关:用于控制电源路径,如在笔记本电脑、服务器和通信设备中实现对不同模块的供电管理。 3. 电机驱动与功率控制:适合于小型电机、风扇或继电器的开关控制,具备良好的热稳定性和耐用性。 4. 消费电子产品:常见于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,用于高效能、小尺寸要求的电源切换应用。 5. 工业自动化:在PLC、传感器模块和工业控制系统中作为高可靠性开关元件使用。 其采用小型封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,满足空间受限的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOPMOSFET 30V 6.2A 2.0W 35mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3483DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3483DV-T1-E3SI3483DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.14 W |
| Pd-功率耗散 | 1.14 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 6.2A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3483DV-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 71 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.7A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3483DV-E3 |