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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS5830NLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS5830NLT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS5830NLT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFS5830NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS5830NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS5830NLT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS),适用于服务器、通信设备和工业电源模块,因其低导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动:用于电动工具、家用电器及工业控制中的小型电机驱动电路,具备良好的开关特性和耐压能力(60V额定电压),可稳定控制电机启停与转速。 3. 热插拔与负载开关:在电信设备和数据中心中,用于实现板卡热插拔保护和电源管理,能有效限制浪涌电流。 4. 电池供电设备:如便携式医疗设备、移动电源管理系统,得益于其小封装(DPAK或TO-252)和高效性能,适合空间受限的应用。 5. 照明电源:用于LED驱动电源中,支持高频率开关操作,提升系统能效。 NTMFS5830NLT1G具备优化的栅极电荷和低反向传输电容,有助于降低开关损耗,适用于高频工作环境。同时,该器件符合RoHS标准,具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业级温度范围应用。总体而言,它是一款高性能、高性价比的MOSFET,适用于多种中低压功率开关场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FLMOSFET SO8FL 40V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS5830NLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFS5830NLT1G |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
封装/箱体 | SO-8FL |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Ta), 172A (Tc) |
系列 | NTMFS5830NL |
配置 | Single |