Datasheet下载- 型号： IRLD014PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD014PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD014PBF价格参考。VishayIRLD014PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLD014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLD014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLD014PBF 是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和逻辑电平驱动特性，适用于低电压、低功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于工作电压低（栅极阈值电压约1V），适合用于手机、平板、蓝牙设备等电池供电产品中的电源管理与负载开关控制。 2. 电源开关与继电器替代：可作为固态开关替代机械继电器，用于小功率电机控制、LED驱动或电磁阀控制，具备无触点、寿命长、响应快的优点。 3. DC-DC转换电路：在同步整流或Buck/Boost拓扑中用作开关元件，提高电源转换效率，常用于小型电源模块或嵌入式系统电源设计。 4. 逻辑电平转换与驱动电路：因其可直接由3.3V或5V微控制器（如单片机、Arduino）驱动，广泛应用于GPIO扩展、数字信号切换等接口电路中。 5. 消费类电子产品：如家用电器控制板、智能插座、充电器等，用于实现高效、紧凑的开关控制功能。 IRLD014PBF采用TO-92封装，体积小巧，便于集成在空间受限的电路板上，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、汽车电子（非引擎舱）及各类通用开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIPMOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors IRLD014PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLD014PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRLD014PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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