Datasheet下载- 型号： SIS427EDN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS427EDN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS427EDN-T1-GE3价格参考。VishaySIS427EDN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIS427EDN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS427EDN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIS427EDN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、降压/升压稳压器等电路中，作为主开关器件实现高效的功率转换。 2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，提供快速开关和低功耗性能。 3. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中用作负载开关，以减少待机功耗并保护电路。 4. 电池保护：在电池管理系统中，用于过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能。 5. 信号切换：在多路复用器或多路选择器中，用于高速信号路径的切换操作。 6. 汽车电子：可用于汽车内部的各种电子控制单元（ECU），例如车窗升降器、座椅调节器等辅助系统的驱动。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，用于传感器接口、执行器驱动等领域。 该器件具有出色的热稳定性和耐久性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行，因此适合多种严苛环境下的应用需求。同时，其小型化封装也有助于节省PCB空间，便于设计紧凑型产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIS427EDN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1930pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.6 毫欧 @ 11A， 10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS427EDN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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