Datasheet下载- 型号： IPD06N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD06N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD06N03LA G价格参考。InfineonIPD06N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD06N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD06N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPD06N03LA G是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件主要应用于低电压、中等电流的开关场景，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性等特点。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM），尤其适用于便携式设备和嵌入式系统中的高效能电源设计。 2. 电机驱动：常用于小型直流电机或步进电机的控制电路，如家用电器、电动工具和汽车电子中的风扇、泵类驱动。 3. 电池供电设备：由于其低功耗特性，适合用于笔记本电脑、移动电源、充电器及电池保护电路中，实现高效的充放电控制。 4. 汽车电子：作为车载系统的负载开关或电源切换元件，应用于车身控制模块、LED照明驱动和传感器供电等场景。 5. 消费类电子产品：如智能家居设备、路由器、打印机等内部电源管理与信号切换电路。 IPD06N03LA G采用PG-SOT23-3封装，体积小巧，适合空间受限的高密度PCB布局，同时具备良好的抗干扰能力和可靠性，是中小型功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD06N03LA_Rev2.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b4ba844b9 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD06N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2653pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD06N03LAG |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
