Datasheet下载- 型号： RSS125N03TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS125N03TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS125N03TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS125N03TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS125N03TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS125N03TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为RSS125N03TB的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的N沟道单管。该器件适用于多种需要高效功率控制的应用场景。 该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），支持大电流通过并减少功率损耗，因此广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动电路中。此外，其快速开关特性使其适合用于高频开关电源和节能型电源适配器中。 在汽车电子领域，RSS125N03TB也可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）及LED照明驱动等应用。由于其具备较高的可靠性和热稳定性，因此在工业自动化设备、智能电表以及物联网（IoT）终端产品中也有广泛应用。 总之，该MOSFET适用于对效率、稳定性和空间紧凑性有较高要求的各类电源管理和功率控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS125N03TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1670pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSS125N03TBDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.5A （Ta） |
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