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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2111LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2111LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2111LT1封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2111LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2111LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2111LT1 是由 ON Semiconductor 生产的预偏置双极晶体管 (BJT),属于单晶体管类型。该型号晶体管具有低饱和电压、高增益和快速开关特性,适用于多种应用场景,尤其是在需要高效能和稳定性的电路设计中。 主要应用场景: 1. 电源管理: - MMUN2111LT1 适合用于低压差线性稳压器(LDO)和开关模式电源(SMPS)中的电流控制和调节。其低饱和电压特性有助于提高电源转换效率,减少发热,延长设备寿命。 2. 信号放大与处理: - 在音频放大器、传感器信号调理电路等应用中,MMUN2111LT1 的高增益特性可以有效放大微弱信号,同时保持较低的噪声水平,确保信号的完整性和准确性。 3. 电机驱动与控制: - 该晶体管可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现精确的速度控制和位置反馈。预偏置设计简化了驱动电路的设计,减少了外部元件的数量。 4. 保护电路: - 在过流保护、短路保护等电路中,MMUN2111LT1 可以作为开关元件,迅速响应异常情况,切断电流路径,保护系统免受损坏。 5. 通信设备: - 在无线通信模块、调制解调器等设备中,MMUN2111LT1 可用于射频前端电路中的信号放大和切换,确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 消费电子: - 该晶体管广泛应用于智能手机、平板电脑、智能家居设备等消费电子产品中,负责各种功能模块的电流控制和信号处理任务。 总结: MMUN2111LT1 凭借其优异的电气性能和预偏置设计,在电源管理、信号放大、电机控制、保护电路以及通信设备等多个领域有着广泛的应用。它不仅能够满足高性能要求,还能简化电路设计,降低成本,提升系统的整体性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMUN2111LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMUN2111LT1OSCT |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 10 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |