| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFR24N100Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFR24N100Q3价格参考。IXYSIXFR24N100Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFR24N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFR24N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFR24N100Q3是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于高功率和高频场景。其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器及AC-DC电源模块,支持高效能电能转换。 2. 电机驱动与控制:常用于工业自动化设备、伺服电机及步进电机驱动电路中,具备快速开关能力和高电流承载特性。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中作为核心开关元件,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分,满足汽车电子对可靠性和效率的严苛要求。 5. 照明系统:用于LED路灯或大功率照明设备的恒流驱动电路,提升能效并延长使用寿命。 该器件具备低导通电阻、高耐压(1000V)和优良热性能,适合高频率操作,适用于需要紧凑设计和高效散热的工业与消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFR24N100Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFR24N100Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Qg-GateCharge | 140 nC |
| Qg-栅极电荷 | 140 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 490 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 490 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 300 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 490 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | ISOPLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 系列 | IXFR24N100 |
| 配置 | Single |