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详细数据请看参考数据手册
- 型号： ZVNL110GTC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVNL110GTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVNL110GTC价格参考。Diodes Inc.ZVNL110GTC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVNL110GTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVNL110GTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVNL110GTC是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于低压、小功率场效应晶体管，常用于电池供电设备和便携式电子产品中。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于具有低导通电阻（Rds(on)）和低阈值电压，适合用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等对功耗敏感的设备中的电源开关或负载控制。 2. 电源管理电路：常用于DC-DC转换器、LDO使能控制、电源切换电路中，实现高效的电能分配与管理。 3. 电池供电系统：广泛应用于充电宝、电动玩具、无线传感器等使用电池供电的系统中，作为开关元件以降低能耗，延长续航时间。 4. 信号开关与逻辑控制：可作为模拟开关或数字信号开关，用于微控制器外围电路中控制LED、小型继电器或电机的启停。 5. 消费类电子产品：如家用小电器、遥控器、电子门锁等，因其封装小巧（SOT-23）、可靠性高，适合高密度贴装。 ZVNL110GTC具备快速开关特性、低漏电流和良好的热稳定性，适用于需要节能、高效、小型化的低功率应用场景。在设计时需注意其最大耐压（VDS约50V）和持续电流能力（约100mA），确保工作在安全范围内。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZVNL110GTC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
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